Область применения:

Исследование воздействия лазерного излучения высокой интенсивности на полупроводниковые структуры. Данный метод тестирования компонентов электронной аппаратуры позволит эффективно определять их устойчивость к неблагоприятным последствиям воздействия мощного импульсного излучения различной природы с учетом различных амплитудно-временных характеристик.

Принцип работы:

Излучение непрерывного лазера модулируется скоростным электро-оптическим ключом, формирующим необходимую длительность и форму исходного импульса. Далее лазерный импульс проходит через систему многокаскадного усиления для достижения требуемой выходной энергии (мощности). Мощность выходного сигнала управляется автоматизированным ослабителем, а диаметр регулируется телескопом с переменной кратностью.

Спецификация:

Длина волны ………………………….……   1064 нм

Частота следования импульсов  …  1 - 10 Гц

Длительности импульса  ……….  0,1 - 30 мкс

Энергия импульса ……………..…  10 - 200 мДж

Кратность ослабления на выходе ….  до 10^-4

Диаметр луча на выходе …………… 5 - 30 мм